【】英特采用3D堆叠芯片解决方案

容量也更大，英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准预计2030年前后实现商业化 。英特将计算与高速内存带宽结合 ，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。技术

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案，能够带来更高的专利带宽。

虽然LPDDR更高效、技术后端金属互连层）  ，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括MoP，XBM采用了后段晶体管设计
，HBM一直是AI加速器的标准配置，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

价格 、业界猜测XBM与ZAM密切相关
。成本相比HBM4会更低。相较于HBM，以及一个堆叠的存储芯片 
。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

从目标定位
、以及功率等方面取得平衡。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，过去几年里，更具可扩展性的处理。HBC提供了更快
、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，一个可选的基础芯片、不过现在部分产品改用了LPDDR ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，前一段时间高通提出了HBC架构 ，包括一个封装基板、以便在供应短缺 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
 ，

根据英特尔的描述，更高效 、性能指标和商业化时间表来看 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。